クラスター及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：後藤洋介 (外2名) , 後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327319
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】金属原子もしくは金属原子団(金属クラスター)が、シリコン(Si)もしくは水素化シリコンによって、全体もしくは一部が覆われている金属シリコンクラスターならびに水素化金属シリコンクラスターを提供する。【解決手段】金属原子もしくは金属クラスターをシラン(SiH4)ガスと逐次的に反応させることにより、MmSinHx(M:金属、m:1以上の整数、n:1以上の整数、x:0以上の整数)の分子式で表される金属を含有したシリコンクラスター(x=0)、ならびに金属を含有した水素化シリコンクラスター(x≧1)を生成させる。金属とシリコン、もしくは、金属、シリコンと水素の組成が原子レベルで制御されている金属とシリコンから構成される種々の材料、例えば、高選択性の触媒、耐熱・耐火材料、金属材料、半導体材料、磁性材料、超伝導材料、蛍光体材料、光学材料として、あるいはこれらの材料を形成するための中間物質として有用である。

請求項（抜粋）：

単独の金属原子もしくは金属原子団又は金属クラスターを含むシリコン(Si)クラスターからなるか又は金属原子もしくは金属原子団(金属クラスター)を含む水素化シリコンクラスターからなることを特徴とするクラスター。

IPC (4件)：

C01B 33/06 , B22F 9/00 , C30B 29/10 ZAA , H01L 21/285 301

FI (4件)：

C01B 33/06 , B22F 9/00 Z , C30B 29/10 ZAA , H01L 21/285 301 Z

Fターム (36件)：

4G072AA41 , 4G072AA50 , 4G072HH04 , 4G072JJ25 , 4G077AA03 , 4G077BA07 , 4G077BA08 , 4G077BA10 , 4G077DA11 , 4G077DB04 , 4K017AA02 , 4K017AA06 , 4K017BA09 , 4K017BB02 , 4K017BB04 , 4K017BB06 , 4K017BB08 , 4K017BB09 , 4K017BB12 , 4K017CA09 , 4K017DA01 , 4K017DA02 , 4K017DA09 , 4K017EK08 , 4K017FA02 , 4K017FB11 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD36

引用特許：

審査官引用 (6件)

負極及びLi二次電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067819 出願人：三菱電線工業株式会社
特開平2-080554
クラスレート化合物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-342101 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (7件)

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