特許
J-GLOBAL ID：200903080165761897
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-367941
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168787
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 アレイ内の配線のレイアウトの自由度を増し、TMR素子の特性向上や高集積化を図る。【解決手段】 上部配線11は、読み出し配線として機能し、X方向に延びている。下部配線12は、読み出し/書き込み配線として機能し、Y方向に延びている。書き込み配線13は、Z軸方向に延び、Z軸方向に積み重ねられている複数のTMR素子10の近傍に配置される。TMR素子10に書き込むデータは、下部配線12に流れる電流により発生する磁界と書き込み配線13に流れる電流により発生する磁界との合成磁界により決定される。書き込み配線13に接続される選択トランジスタ14は、TMR素子10のアレイの直下に配置される。
請求項（抜粋）：
複数段に積み重ねられた複数のTMR素子を有するアレイと、前記アレイ内にそれぞれ異なる目的で配置される複数の配線とを具備し、前記複数の配線のうちの1つは、前記複数のTMR素子が積み重ねられる方向に延び、かつ、データ書き込み時に磁界を発生させることを目的に設けられる配線であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA10
