特許
J-GLOBAL ID：200903080179268492

超臨界処理方法

発明者：
生津 英夫

生津 英夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214867
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040969
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】より低い圧力で超臨界処理ができるようにする。【解決手段】基板101の表面及びパターン101aをフッ化物の液体103に浸漬した後、所定の密閉されて一定の容積に保持された反応室内で、基板101の表面及びパターン101aが浸漬しているフッ化物の液体103を加熱し、フッ化物を超臨界状態とすることで、密閉空間105の中において、基板101の表面及びパターン101aがフッ化物の超臨界流体106に覆われた状態とする。加熱されて気化したフッ化物の気体の増加により、密閉されて容積一定とされた反応室内(密閉空間105)の圧力を、フッ化物の臨界圧力とすることができる。臨界圧力の状態で臨界温度以上に加熱されれば、フッ化物の液体103は、超臨界状態となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上の所定のパターンが、大気圧下でフッ化物の液体に浸漬された状態とする第1工程と、 前記パターンが前記液体に浸漬されている状態で、前記基板を密閉されて一定の容積に保持された空間内に配置する第2工程と、 前記パターンが浸漬されている液体を加熱して前記液体を超臨界状態とし、前記パターンが前記フッ化物の超臨界流体に浸漬された状態とする第3工程と、 前記パターンが浸漬されている前記超臨界流体を気化させる第4工程と を少なくとも備え、 前記第3工程では、加熱されて気化した前記フッ化物の気体の増加により前記空間内の圧力を前記フッ化物の臨界圧力とする ことを特徴とする超臨界処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/304 651Z ,  G03F7/42 ,  H01L21/306 B
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM