抵抗特性検出方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118756
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】積層セラミック電子部品を構成するセラミック層などの被検試料の、電気抵抗値が他の領域とは異なる箇所(例えば、低抵抗箇所など)を迅速かつ確実に検出することが可能な抵抗特性検出方法を提供する。【解決手段】抵抗特性を測定すべき被検試料10aに陽イオンビームを照射して帯電させた後、被検試料10aを走査イオン顕微鏡にて観察し、被検試料10aから生じる二次電子による電子像(二次電子像)のコントラストから、電気抵抗値がその他の領域とは異なる箇所(低抵抗箇所)6を検出する。

請求項（抜粋）：

抵抗特性を測定すべき被検試料に陽イオンビームを照射して帯電させた後、前記被検試料を走査イオン顕微鏡にて観察し、前記被検試料から生じる二次電子による電子像(二次電子像)のコントラストから、電気抵抗値が他の領域とは異なる箇所を検出することを特徴とする抵抗特性検出方法。

Fターム (5件)：

5E082AB03 , 5E082BC40 , 5E082FG26 , 5E082MM01 , 5E082MM35

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭56-096260
コンタクト孔の評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-288727 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭63-168575

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