特許
J-GLOBAL ID：200903080186443216
半導体装置
出願人/特許権者：
株式会社日立製作所
, 株式会社日立製作所 について
日立デバイスエンジニアリング株式会社
日立デバイスエンジニアリング株式会社 について
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245821
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067877
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 データ入力バッファなどの外部インタフェースバッファによる電力消費を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 メモリ部(BNK0〜BNK3)への書込みデータを入力可能なデータ入力バッファ(3)を有する半導体装置において、前記メモリ部に対する書込み動作の指示を受けた後に、データ入力バッファを非活性状態から活性状態に変化させる。前記データ入力バッファは、例えばSSTL準拠のインタフェース仕様を有する差動入力バッファであり、パワースイッチのオン状態によって活性状態にされ、貫通電流を流し、小振幅信号の微小な変化に即座に追従して信号を入力する。入力バッファはメモリ部に対する書込み動作の指示を受けて初めて活性状態にされるから、書き込み動作が指示される前に予めデータ入力バッファが活性状態にされて消費される無駄な電力消費が低減される。
請求項（抜粋）：
複数個のデータ端子と、前記複数個のデータ端子に対応して設けられる複数個のデータ入力バッファと、複数個のメモリセルを含むメモリ部とを含み、前記メモリ部に対する書込み動作の指示を受けた後に、前記データ入力バッファが非活性状態から活性状態に変化されるものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
引用特許：
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