特許
J-GLOBAL ID：200903080195260469

縦型半導体装置

発明者：
鈴木 隆司

鈴木 隆司 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349087
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168335
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 パワーMOS電界効果トランジスタのON動作時の抵抗を下げつつ、耐圧を上げることが可能なパワーMOS電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】 n+型ドリフト領域18bのn型不純物濃度は、n型ドリフト領域18a、12a、12bのn型不純物濃度より高いので、n+型ドリフト領域18bの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。また、p型ボディ領域14aは、p+型ボディ領域16aとn型ドリフト領域12aとの間に位置し、p型ボディ領域14bは、p+型ボディ領域16bとn型ドリフト領域12bとの間に位置している。p型ボディ領域14a、14bにより空乏層が広がりやすくなるので、耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域、第1導電型の第2半導体領域、第2導電型の第3半導体領域および第1導電型の第4半導体領域を備えた縦型半導体装置であって、前記第1半導体領域は、第1導電型のキャリアを放出し、前記第2半導体領域は、第1導電型のキャリアが流れる経路となり、前記第2半導体領域は、第1導電型の不純物濃度が高い高濃度領域と、第1導電型の不純物濃度が低い低濃度領域と、を含み、前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域と接合し、前記第4半導体領域は、第1導電型のキャリアを吸い込む、縦型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 658 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
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