特許
J-GLOBAL ID：200903080221596683

半導体装置の製造方法および半導体基板の支持構造体

発明者：
山野 孝治

山野 孝治 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159871
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340655
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 薄型化された半導体基板を用いた半導体装置の製造の不具合の発生を抑制し、薄型化された半導体装置の製造を可能とする。【解決手段】 第1の主面の側101Aにデバイスが形成された半導体基板101の、当該第1の主面101Aの反対側の第2の主面101Bを研削する第1の工程と、前記第1の工程の後の前記第2の主面101Bに、前記半導体基板を支持する支持構造体200を貼り付ける第2の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記支持構造体200から前記半導体基板101を離脱させる第3の工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
第1の主面の側にデバイスが形成された半導体基板の、当該第1の主面の反対側の第2の主面を研削する第1の工程と、 前記第1の工程の後の前記第2の主面に、前記半導体基板を支持する支持構造体を貼り付ける第2の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、 前記支持構造体から前記半導体基板を離脱させる第3の工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/12
FI (4件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/304 631 ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/78 M
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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