特許
J-GLOBAL ID：200903099980199845
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-146012
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326299
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 信頼性を向上することができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 ウエハ1の背面を覆うように裏面側保護膜11を形成してからウエハ1を個片化する箇所に予めダイシングを施して切削溝1aを刻設しておき、その後にウエハ1の表面および側面を覆うと共に、切削溝1aを充填する表面側保護膜3を形成し、続いて再配線5、ポスト6および表面側保護膜7を設けた後、切断面に所定厚の表面側保護膜3が残るように切削溝1a部分を再度ダイシングして半導体装置10を形成するので、個片化された半導体装置10は背面、表面および側面が全て保護膜3,11で覆われることになり、この結果、チップ破損や露出面からの水分浸透等、信頼性を低下させる要因を除去でき、信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
表面に複数の柱状電極が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の背面を覆う裏面側保護膜と、前記シリコン基板の前記各柱状電極を除く表面および側面を覆うと共に、このシリコン基板を個片に切断した時の切断面を覆うように形成された表面側保護膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/02
, H01L 21/301
H01L 21/02 A
, H01L 23/12 L
, H01L 21/78 M
