半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025307
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231854
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、半導体基板の下面を電気的および機械的に保護する。【解決手段】半導体基板21の下面には銀ペースト等からなる導電性樹脂膜30が形成されている。

請求項（抜粋）：

上面に柱状電極が形成された半導体基板と、前記柱状電極を除く前記半導体基板の上面に形成された封止膜と、前記半導体基板の下面に形成された導電性樹脂膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/304 621 , H01L 21/301 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 23/12 501 P , H01L 21/304 621 , H01L 21/78 L , H01L 21/88 T

Fターム (11件)：

5F033HH07 , 5F033HH14 , 5F033JJ01 , 5F033MM30 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ46 , 5F033VV07 , 5F033XX19

引用特許：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (4件)

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