特許
J-GLOBAL ID:200903080251822769

半導体デバイスの製造装置および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  永田 美佐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-194491
公開番号(公開出願番号):特開2009-194358
出願日: 2008年07月29日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
【課題】作業者にとって安全性の高い、半導体デバイスの製造装置を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体デバイスの製造装置100は、前面に開口部11を有するキャビネット10と、キャビネット10の開口部12に開閉自在に設けられた前扉20と、キャビネット10内に窒素または大気に含まれる酸素濃度よりも低酸素濃度の気体を導入する低酸素気体吸気口14と、キャビネット10内の気体を排出する気体排気口16と、キャビネット10内に大気または酸素を導入する換気機構30と、前扉20を閉じた状態に施錠するロック機構40と、キャビネット10内の酸素濃度を検知する検知器50と、を有し、ロック機構40は、検知器50が検知する酸素濃度が所定の値以上となったときに解錠される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
前面に開口部を有するキャビネットと、 前記キャビネットの前記開口部に開閉自在に設けられた前扉と、 前記キャビネット内に窒素または大気に含まれる酸素濃度よりも低酸素濃度の気体を導入する低酸素気体吸気口と、 前記キャビネット内の気体を排出する気体排気口と、 前記キャビネット内に大気または酸素を導入する換気機構と、 前記前扉を閉じた状態に施錠するロック機構と、 前記キャビネット内の酸素濃度を検知する検知器と、 を有し、 前記ロック機構は、前記検知器が検知する酸素濃度が所定の値以上となったときに解錠される、半導体デバイスの製造装置。
IPC (1件):
H01L 21/02
FI (1件):
H01L21/02 D
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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