半導体メモリ装置の書き込み回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239062
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312393
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】メモリセルに対して安定した書き込みを行う。【解決手段】基準電位発生回路21から供給される基準電位Vrfに応答してVCO22の発振を制御し、その発振クロックφcを昇圧回路23に供給する。発振クロックφcの波高値を積み重ねて高電位Vhvを生成し、書き込み制御回路7から書き込みクロックφsに応答してソース線4に書き込み電位Vd2として供給する。

請求項（抜粋）：

メモリセルに対して電源電位よりも高い電位を供給し、メモリセルに所望の情報を書き込む半導体メモリ装置の書き込み回路であって、特定の電位に対して一定の電位差を維持する基準電位を発生する基準電位発生回路と、上記基準電位に応答して発振周波数を変動させる電圧制御発振回路と、上記電圧制御発振回路の発振クロックを多段階で重ね合わせて高電位を生成する昇圧回路と、上記高電位を書き込みクロックに応答してメモリセルに供給する制御回路と、を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置の書き込み回路。

FI (2件)：

G11C 17/00 634 F , G11C 17/00 632 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

内部電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040705 出願人：三菱電機株式会社
リングオシレータおよび定電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296945 出願人：三菱電機株式会社
昇圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-042549 出願人：株式会社エー・ケー・エム

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