特許
J-GLOBAL ID：200903080315181894

高周波信号伝送用積層構造およびそれを用いた高周波半導体パッケージ

発明者：
奥道 武宏

奥道 武宏 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251966
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229511
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】高周波伝送特性を改善する。【解決手段】内層接地用貫通導体、および表層接地導体と内層接地導体との間を上下に貫く表層接地用貫通導体を形成した高周波信号伝送用積層構造であって、表層信号用貫通導体を信号配線接続導体の長さが短くなるように内層接地導体非形成領域の外周部に配置する。
請求項（抜粋）：
4層以上の誘電体層を積層して成る積層基板の最上層および最下層のそれぞれに形成した信号配線導体が、互いに一端から逆方向に延びる関係にあり、これら各信号配線導体の一端と、前記最上層および前記最下層の誘電体層を上下に貫く表層信号用貫通導体とを、信号配線接続導体を介して接続し、前記積層基板の上下面に表層接地導体非形成領域と前記信号配線導体に対し所定間隔を有する表層接地導体とを形成し、且つ前記表層接地導体非形成領域に前記表層信号用貫通導体および前記信号配線接続導体を配置し、前記最上層および前記最下層を除く内層の各層に、平面形状が2軸対称形状を成す内層接地導体非形成領域と、内層接地導体とを形成し、前記内層接地導体非形成領域には、前記内層の各層を上下に貫く内層信号用貫通導体に接続する信号用貫通導体接続導体を形成し、前記内層接地導体非形成領域の外周部に、前記内層の各層を上下に貫く内層接地用貫通導体、および前記表層接地導体と前記内層接地導体との間を上下に貫く表層接地用貫通導体を形成した高周波信号伝送用積層構造であって、前記表層信号用貫通導体を前記信号配線接続導体の長さが短くなるように前記表層接地導体非形成領域の外周部に配置したことを特徴とする高周波信号伝送用積層構造。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301 ,  H01P 1/04
FI (2件)：
H01L 23/12 301 Z ,  H01P 1/04
Fターム (1件)：
5J011DA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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