特許

J-GLOBAL ID：200903080317845382

半導体発光素子および製造方法

発明者： 佐々木 和明 ,  中村 淳一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078538
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280606
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 発光強度が高く、表面欠陥の少ない構造を有するLED素子およびその製法。【解決手段】 GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層が形成され、さらにGaAsとは格子整合しないAlGaInP系の中間バンドギャップ層および2層以上の電流拡散層が形成され、ここに、該活性層に最も近い電流拡散層のキャリア濃度が1〜3×1018cm-3であって、該活性層から最も遠い電流拡散層のキャリア濃度が1〜2×1019cm-3である半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層が形成され、さらにGaAsとは格子整合しないAlGaInP系の中間バンドギャップ層および2層以上の電流拡散層が形成され、ここに、該活性層に最も近い電流拡散層のキャリア濃度が1〜3×1018cm-3であって、該活性層から最も遠い電流拡散層のキャリア濃度が1〜2×1019cm-3である半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/205

Fターム (21件)：

5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA63

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-015503   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-030819   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061420   出願人：三菱電線工業株式会社