特許
J-GLOBAL ID：200903080321637638

銅薄膜の化学的気相成長法

発明者：
楠本 淑郎

楠本 淑郎 について

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村田 真朗

村田 真朗 について

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市橋 素子

市橋 素子 について

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大園 修司

大園 修司 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390346
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194545
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：
【要約】【課題】 PVD銅膜又は異種金属膜の上に平滑なCVD銅薄膜を再現性良く、高い成長速度で形成する方法の提供。【解決手段】 化学的気相成長法により基板上に銅薄膜を成長させる際に、該基板上に、β-ジケトン基を有し、異種原子として酸素原子のみを含む、2,4-ペンタンジオンのような脂肪族ケトン化合物であって、好ましくは常温で液体である化合物のガスを供給すること。脂肪族ケトン化合物のガスの供給を、銅薄膜を成長させる前、成長させる時、又は一部を成長させた後に行う。
請求項（抜粋）：
化学的気相成長法により基板上に銅薄膜を成長させる方法において、該基板上に、β-ジケトン基を有し、異種原子として酸素原子のみを含む脂肪族ケトン化合物のガスを供給することを特徴とする銅薄膜の化学的気相成長法。
IPC (4件)：
C23C 16/18 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4件)：
C23C 16/18 ,  C23C 14/14 D ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z
Fターム (17件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BD02 ,  4K029GA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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