パターン形成方法およびパターン形成用多層膜

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福沢俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244094
公開番号（公開出願番号）：特開2003-149820
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、193nm以下の波長において透明性の高い特定のポリシロキサン系感放射線性樹脂組成物とを組み合わせて用いることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成することができ、さらに高いアスペクト比を有するレジストパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。【解決手段】パターン形成方法は、炭素含量が80重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜100,000の重合体を含有する下層膜上に、その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる酸解離性基含有ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成して、放射線を照射する工程を有することを特徴とする。パターン形成用多層膜は、該下層膜上に該感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成してなる。

請求項（抜粋）：

炭素含量が80重量%以上でポリスチレン換算重量平均分子量が500〜100,000の重合体を含有する膜上に、その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解離性基含有ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物からなる被膜を形成して、放射線を照射する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8件)：

G03F 7/075 521 , C08F 32/08 , C08G 10/02 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027 , C08G 77/14

FI (9件)：

G03F 7/075 521 , C08F 32/08 , C08G 10/02 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 503 , G03F 7/26 511 , C08G 77/14 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573

Fターム (54件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025DA40 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA05 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096GA08 , 2H096KA06 , 4J033DA01 , 4J033DA12 , 4J033HA02 , 4J033HB03 , 4J035BA04 , 4J035CA071 , 4J035CA101 , 4J035EA01 , 4J035EB10 , 4J035LA02 , 4J035LB16 , 4J100AR09P , 4J100BA03P , 4J100BA05P , 4J100BA14P , 4J100BA16P , 4J100BA29P , 4J100BA41P , 4J100BA52P , 4J100BA56P , 4J100BB01P , 4J100BB03P , 4J100BC43P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100DA36 , 4J100JA38 , 4J100JA43 , 5F046NA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-220429 出願人：ジェイエスアール株式会社
ケイ素含有ポリマ並びにこれを用いたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-220605 出願人：富士通株式会社
反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-325670 出願人：ジェイエスアール株式会社

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