半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：板垣孝夫 , 森本義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132283
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317685
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】再配線構造を有する半導体装置において、素子電極と金属配線との電気的接続が良好に行われ、かつ良好な信頼性が確保できるとともに、半導体チップの小型化を阻害することなく、半導体装置と外部機器との間で信号の高速伝送が行うことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ10に、半導体素子形成領域11と素子配置禁止領域12とがあり、素子電極13は、外部接続用端子である金属バンプ20に接続するための金属配線17と接続される接続用領域13aと、半導体チップ10の電気特性検査のためのプローブ針と接続される検査用領域13bとで構成されている。そして、素子電極13の接続用領域13aが半導体素子形成領域11内に配置され、且つ素子電極13の検査用領域13bが素子配置禁止領域12に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップを有する半導体装置であって、前記半導体チップは、少なくとも1つの半導体素子と、主面上に形成され且つ前記半導体素子と電気的に接続された素子電極とを備え、前記半導体チップの主面上には、半導体素子を含む半導体素子形成領域と、前記半導体素子形成領域以外の領域に相当する素子配置禁止領域とが形成され、前記素子電極は外部接続用端子である金属バンプに接続するための金属配線と接続される接続用領域と、半導体チップの電気特性検査のためのプローブ針と接続される検査用領域とで構成され、前記素子電極の接続用領域が前記半導体素子形成領域内に配置され、且つ前記素子電極の検査用領域が前記素子配置禁止領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/3205 , H01L23/12

FI (2件)：

H01L21/88 T , H01L23/12 501P

Fターム (20件)：

5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH23 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033UU04 , 5F033VV07 , 5F033VV12 , 5F033XX17 , 5F033XX37

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平1-295444号公報
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-106453 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (4件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-097342 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭62-193137
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-365486 出願人：株式会社日立製作所

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