窒化ガリウム基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-105835
公開番号（公開出願番号）：特開2008-239481
出願日： 2008年04月15日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】下地基板の上にマスクを設けその上にGaNをHVPE成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Hとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Hが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。そこで、クラックの生じない自立GaN基板を提供する。【解決手段】初め低温で成長させマスク63上に多結晶微粒子70を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部69だけに窒化ガリウム薄膜64が成長するようにし、マスク63の端から傾斜して伸びるファセット66を充分に広くなるようにし、ファセット66から方位反転した爪状の突起68がマスク63の上方へ伸びるようにする。突起68が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Hとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

下地基板上に形成されたマスク上に微細な多結晶が乗っており、その上に成長した窒化ガリウム結晶は、反転方位(000-1)を持つ単結晶である方位反転領域Hを形成し、方位反転領域Hに隣接して予め意図された寸法の複数の正方位(0001)をもつ単結晶低転位領域Zが連続して存在し、隣接する複数の単結晶低転位領域Z、Zに挟まれた(0001)方位単結晶であるC面成長領域Yが存在し、方位反転領域Hと単結晶低転位領域Zの境界に方位反転による結晶粒界Kを有し、方位反転領域Hの内部にも不整合面からなる結晶粒界K’を有し、結晶粒界K、K’において多数の転位を捕獲拘束しており、予め意図された寸法形状の...ZYZHZYZH...構造、あるいは...ZHZH...構造を有することを特徴とする窒化ガリウム基板。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 25/04

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B25/04

Fターム (23件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB03 , 4G077AB04 , 4G077AB06 , 4G077AB08 , 4G077AB09 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EB06 , 4G077ED04 , 4G077EE05 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TB02 , 4G077TK04 , 4G077TK08

引用特許：

出願人引用 (8件)

特願平9-298300号
三次元画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-090080 出願人：株式会社東芝
チューブの引き抜き防止装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-102546 出願人：綜合警備保障株式会社

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