特許

J-GLOBAL ID：200903080488429352

半導体発光素子

発明者： 斎藤 真司 ,  布上 真也 ,  板谷 和彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276829
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102675
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 発光部で発生する熱を効率良く放熱することができ、高出力時においても高い信頼性を得る。【解決手段】 MQW活性層105をn型及びp型のAlGaNクラッド層103,107で挟んだダブルへテロ構造部で発光部が構成され、ダブルへテロ構造部の上下にn型及びp型のGaNコンタクト層102,108が形成された半導体レーザにおいて、n型コンタクト層102にはダイヤモンド基板101が接着され、p型コンタクト層108上には電流注入のための開口を有するダイヤモンド絶縁層109が形成され、このダイヤモンド絶縁層109は発光部の側面を覆うように形成されている。

請求項（抜粋）：

発光層を含む半導体多層構造を有する半導体発光素子において、前記発光層の側面に接して、絶縁体としてのダイヤモンド膜が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/024 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/024 ,  H01L 33/00 N

Fターム (16件)：

5F041AA32 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041FF16 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14 ,  5F073EA16 ,  5F073FA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-070657   出願人：三菱電線工業株式会社
• 高熱伝導性を有する半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302664   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 発光素子および発光ダイオードおよびレーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069401   出願人：住友電気工業株式会社
• 結晶成長方法および半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336473   出願人：松下電器産業株式会社