特許
J-GLOBAL ID：200903080489669047
被加工基板の湿式エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063242
公開番号（公開出願番号）：特開2004-268206
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】フォトリソグラフィ技術を用いることなく、微細な立体像を形成することができるようにする。【解決手段】第1ステップS1では、単結晶シリコン基板等の被加工基板上に選択的にFIBを照射する。その際に、形成すべき凸部の高さに応じてFIBのドーズ量、ドットピッチ、加速電圧を調整する。このFIB照射によりFIB照射部にはエッチング液に対するマスキング効果が発現される。第2ステップS2では、バッファードフッ酸(BHF)で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。第3ステップS3において、流水洗浄を行った後、第4ステップS4において、純水、アセトンを用いた超音波洗浄を行う。第5ステップS5では、KOH水溶液に浸漬して被加工基板のFIB照射面をエッチングする。その後、確認のために、第6ステップS6において、AFMにより段差を観測する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
照射条件の異なる集束イオンビームを被加工基板上に照射し、湿式エッチングを行って被加工基板上に集束イオンビーム照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成することを特徴とする被加工基板の湿式エッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD02
, 5F043DD17
, 5F043GG10
審査官引用 (6件)
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特開平4-355909
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静電型マイクロリレーの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-169149
出願人：株式会社島津製作所
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特開平4-190984
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