特許
J-GLOBAL ID：200903080490626025

面発光型半導体素子

発明者：
江 崎 瑞 仙

江 崎 瑞 仙 について

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櫛 部 光 弘

櫛 部 光 弘 について

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西 垣 亨 彦

西 垣 亨 彦 について

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高 岡 圭 児

高 岡 圭 児 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009092
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196830
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 面方位(100)面等の通常基板上に作製した場合においても、偏波モードの制御性や量産性が高い高性能な面発光型半導体素子を得ることを可能にする。【解決手段】 発光領域を有する半導体活性層4と、垂直方向の共振器を形成する、第1半導体多層膜反射鏡6及び第2半導体多層膜反射鏡2と、半導体活性層に電流を注入するための電極9、10と、半導体活性層の近傍に形成され、Alを含む第1被酸化層32、30を有し、第1被酸化層の側部が酸化され中央部が未酸化である電流狭窄部と、少なくとも第1被酸化層の最表面層まで到達する溝深さの第1凹部12aと、第1被酸化層を貫通する第2凹部12bと、第1および第2凹部に囲まれたメサ部100と、第1および第2凹部のうちの少なくとも第2凹部に埋め込まれた絶縁膜200とを備え、第1被酸化層は、第1凹部が設けられた方向と、第2の凹部が設けられた方向とで酸化された領域の大きさが異なる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された発光領域を有する半導体活性層と、 前記半導体活性層を狭持し、前記基板に対して垂直方向の共振器を形成する、 前記半導体活性層に対して前記基板と反対側に形成された第1半導体多層膜反射鏡及び前記半導体活性層に対して前記基板側に形成された第2半導体多層膜反射鏡と、 前記半導体活性層に電流を注入するための一対の電極と、 前記半導体活性層の近傍に形成され、Alを含む第1被酸化層を有し、前記第1被酸化層の側部が酸化され中央部が未酸化である電流狭窄部と、 少なくとも前記第1被酸化層の最表面層まで到達する溝深さの第1凹部と、 前記第1被酸化層を貫通する第2凹部と、 前記第1および第2凹部に囲まれたメサ部と、 前記第1および第2凹部のうちの少なくとも前記第2凹部に埋め込まれた絶縁膜と、 を備え、 前記電流狭窄部の前記第1被酸化層は、前記第1凹部が設けられた方向と、前記第2の凹部が設けられた方向とで酸化された領域の大きさが異なることを特徴とする面発光型半導体素子。
IPC (1件)：
H01S 5/18
FI (1件)：
H01S5/18
Fターム (17件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC36 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF92 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ06 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP37 ,  5F173AP45 ,  5F173AP67 ,  5F173AR23 ,  5F173AR33 ,  5F173AR52 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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