特許
J-GLOBAL ID：200903086540219971
面発光型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 允之
, 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342085
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179293
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】選択酸化における酸化長及び電流狭窄(非酸化)領域の寸法および形状の制御性が高めることにより、基板面内の均一性及び再現性を向上し、レーザ特性の素子間のバラツキを抑制した、量産性の高い、高性能な面発光型半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】被酸化層(6a)を含むメサ(100)の側面から前記被酸化層の酸化を進行させて形成した酸化領域(600)を設けることにより前記被酸化層の酸化されていない未酸化領域に電流を狭窄させる面発光型半導体レーザであって、前記酸化領域と前記未酸化領域との境界付近に、プロトンを含有したプロトン含有領域(15、16)が設けられたことを特徴とする面発光型半導体レーザを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被酸化層を含むメサの側面から前記被酸化層の酸化を進行させて形成した酸化領域を設けることにより前記被酸化層の酸化されていない部分に電流を狭窄させる面発光型半導体レーザであって、
前記被酸化層は、前記酸化されていない部分を実質的に取り囲む位置に、プロトンが注入されたプロトン含有領域を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S5/183
, H01L21/316
, H01S5/22
H01S5/183
, H01L21/316 C
, H01S5/22
5F058BA02
, 5F058BA20
, 5F058BB01
, 5F058BC03
, 5F058BD05
, 5F058BF54
, 5F058BF63
, 5F058BJ10
, 5F073AA08
, 5F073AA13
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073CA17
, 5F073DA14
, 5F073DA16
, 5F073DA27
, 5F073EA16
, 5F073EA18
, 5F073EA28
