特許
J-GLOBAL ID：200903080491191006
半導体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086304
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303496
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 データ状態に対応するスレッショルド電圧分布が温度変化により移動しても信頼性を有するプログラム検証及び読み出し動作を遂行することができる半導体メモリ装置を提供すること。【解決手段】 メモリセルに連結された複数のワードライン及びビットラインと、メモリセルの状態を読み出すため選択されたワードラインに温度に連動する電圧を供給する回路と、メモリセルの状態を読み出すため非選択のワードラインに所定の電圧を供給する回路とを備える。温度に連動する電圧を供給する回路は、温度により抵抗値が変わる半導体素子を有する。
請求項（抜粋）：
複数のデータを貯蔵するメモリセルを有した半導体メモリ装置において、前記メモリセルに連結された複数のワードライン及びビットラインと、前記メモリセルの状態を読み出すため選択された前記ワードラインに温度に連動する電圧を供給する回路と、前記メモリセルの状態を読み出すため非選択の前記ワードラインに所定の電圧を供給する回路とを備えることを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G11C 16/02
, G11C 16/04
G11C 17/00 633 B
, G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 622 E
, G11C 17/00 634 E
5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD06
, 5B025AE08
