臨界寸法増大抑制のためにハードマスクを使用する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-540566
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510142
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】半導体基板(56)上の構造物の臨界寸法増大を抑制する方法は、反応性金属または酸化された反応性金属を含むハードマスク(52)を備えた基板をチャンバー内に配置することと、該ウエハーをエッチングすることとを含む。この方法は、低スパッタ収率を有し且つ該プロセスのエッチング化学に対して低い反応性を有するハードマスクを使用することを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に配置される構造物の臨界寸法増大を抑制する方法であって: エッチングすべき層を覆って堆積された反応性金属を含有してなるハードマスクを備えた基板を選択する工程と; リアクターの中で前記層を処理する工程とを具備した方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 563 , H01L 21/302 J

Fターム (15件)：

5F004AA04 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB26 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004EA03 , 5F004EA04 , 5F004EA05 , 5F004FA08 , 5F046HA07 , 5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-203645 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
酸化物層のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-344698 出願人：サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション
特開昭57-143830

全件表示

前のページに戻る