特許
J-GLOBAL ID：200903080581205669
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356237
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】発光素子の放熱性を高めて光の取り出し効率を向上することができる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】発光する光に対して透明性を有する基板1と、基板1の一方の面に少なくともn型とp型の窒化ガリウム系化合物半導体層3,5と、p型半導体層5に設けられたp層電極7と、p型半導体層5の一部を除去して露出させたn型半導体層3に設けられたn層電極6と、を備え、p層電極7及びn層電極6のうち、少なくともp層電極7は、その露出面に貫通孔83を有する絶縁層82と、貫通孔83に埋設された熱伝導部81と、絶縁層82に積層されて熱伝導部81と固着するとともに熱的に接続された放熱層8とを有する半導体発光素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光する光に対して透明性を有する基板と、前記基板の一方の面に少なくともn型とp型の窒化ガリウム系化合物半導体を有してなる半導体層と、前記p型半導体層に設けられてp型半導体層と電気的に導通してなるp層電極と、所定の領域の少なくとも前記p型半導体層の一部を除去して露出させたn型半導体層に設けられてn型半導体層と電気的に導通してなるn層電極と、を備え、
前記p層電極及び前記n層電極のうち、少なくともp層電極は、その露出面に貫通孔を有する絶縁層と、前記貫通孔に埋設された熱伝導部と、前記絶縁層に積層されて前記熱伝導部と固着するとともに熱的に接続された放熱層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA33
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F041DA09
審査官引用 (9件)
-
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-315816
出願人：日亜化学工業株式会社
-
特開昭58-051585
-
特開昭58-051585
全件表示
前のページに戻る
