特許

J-GLOBAL ID：200903080601193298

チップサイズパッケージ

発明者： 馬場 徹 ,  片岡 万士 ,  西條 隆司 ,  奥戸 崇史 ,  後藤 浩嗣 ,  宮島 久和
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089579
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263763
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】IC部側からの外部応力に起因したセンサ部の出力特性の劣化を防止することが可能なセンサ装置を提供する。【解決手段】センサ装置1は、半導体基板であるSOIウェハを用いて形成されており、センサ装置1のセンサ部E1は、矩形枠状のフレーム部11を備え、フレーム部11の内側に配置される重り部12が一表面側において可撓性を有する4つの短冊状の撓み部13を介してフレーム部11に揺動自在に支持されている。センサ部E1は、重り部12と各撓み部13とで可動部を構成しており、可動部にセンシング部としてのピエゾ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が形成されている。センサ装置1は、センサ部E1と協働するIC部E2がセンサ部E1の周りを取り囲んで形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を用いて形成され可動部を有するセンサ部およびセンサ部と協働するIC部が集積化されたセンサ装置であって、IC部がセンサ部の周りを取り囲んで形成されてなることを特徴とするセンサ装置。

IPC (4件)：

G01P 15/12 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84 ,  G01P 15/18

FI (4件)：

G01P15/12 D ,  G01P15/08 P ,  H01L29/84 A ,  G01P15/00 K

Fターム (16件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA09 ,  4M112GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 容量式センサ及びそれを用いたシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-153717   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

審査官引用 (4件)

• 加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106832   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-094667   出願人：日本電装株式会社
• 半導体歪みセンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011623   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-251897   出願人：株式会社デンソー