半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112919
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307577
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【目的】アクティブ領域上に層間絶縁膜を介してボンディングパッドを形成した半導体装置において、ボンディングの衝撃によってアクティブ領域がダメージを受けたり層間絶縁膜にクラックが入ったりすることを防止する。【構成】半絶縁性GaAs基板1上に、ゲートバスバー5、ドレインバスバー6、ソースバスバー7を形成し、アクティブ領域であるn型GaAs層2上に、各バスバーから延びるゲート電極15、ドレイン電極16、ソース電極17を形成する。基板上にシリコン酸化膜3とポリイミド膜4からなる層間絶縁膜を形成し、その上に、スルーホール10、11を介してゲートバスバー5、ドレインバスバー6と接続されたゲートボンディングパッド12、ドレインボンディングパッド13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された所望の電極を有する活性領域と、前記半導体基板上に形成された、前記活性領域の電極と同一の層に形成された電極パッドと、前記半導体基板上を覆う、高耐熱性の高分子材料により形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された、前記電極パッドと前記有機絶縁膜内に形成されたスルーホールを介して接続されたボンディングパッドと、を有する半導体装置であって、前記少なくとも一部のボンディングパッドは前記活性領域に重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/312 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/60 301 N , H01L 21/312 M , H01L 21/88 T , H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163715 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-191009 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-019855 出願人：株式会社東芝

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