特許
J-GLOBAL ID：200903080662747474

半導体装置及びその製造方法

発明者：
飯塚 敏洋

飯塚 敏洋 について

, 
山口 弘

山口 弘 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043697
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243177
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が少なく、段差被覆性にも優れるMIM容量素子25を実現する。【解決手段】 まず、単結晶シリコン基板21の上にTiN膜22aとRu膜22bとの2層構成の下部電極22を形成する。次に、この下部電極22の上にプラズマCVD(ECR-CVD)法により、比較的低温下で高誘電率のプラズマCVD・BST膜23aを形成した後、アニール処理を施してBST膜23aの結晶化を促進させる。次に、熱CVD法により高誘電率の熱CVD・BST膜23bを形成する。最後に、Ru膜24aを堆積し、堆積したRu膜24aを所望の大きさに加工して、MIM容量素子25を完成させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極-容量絶縁膜-上部電極からなるMIM容量素子を備える半導体装置であって、前記容量絶縁膜が、プラズマCVD法により成膜されたプラズマCVD絶縁膜と、熱CVD法により成膜された熱CVD絶縁膜とを少なくとも有する2層以上の多層膜からなり、かつ、前記プラズマCVD絶縁膜は、前記熱CVD絶縁膜よりも必ず下層に配されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/316 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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