特許
J-GLOBAL ID:200903080720899719
位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-301015
公開番号(公開出願番号):特開2005-062894
出願日: 2004年10月15日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
【課題】所望する最適の光学特性値を高い精度で有するとともに、マスクの製造及び使用の際の洗浄等による光学特性の変化を抑えることができるハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板上に、金属、シリコン、及び、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で光半透過膜を構成してなるハーフトーン型位相シフトマスクブランクスであって、光半透過膜は、組成の変化が表面から100オングストロームの深さの領域で認められ、表面から20オングストロームの領域における表面層においてSiとOの合計比率が80原子%以上であり、光半透過膜の前記表面層より深い領域でSiとOの合計比率が前記表面層より小さい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
透明基板上に、金属、シリコン、及び、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で光半透過膜を構成してなるハーフトーン型位相シフトマスクブランクスであって、
前記光半透過膜は、組成の変化が表面から100オングストロームの深さの領域で認められ、表面から20オングストロームの領域における表面層においてSiとOの合計比率が80原子%以上であり、前記光半透過膜の前記表面層より深い領域でSiとOの合計比率が前記表面層より小さいことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクス。
IPC (4件):
G03F1/08
, C23C14/06
, G03F7/20
, H01L21/027
FI (4件):
G03F1/08 A
, C23C14/06 G
, G03F7/20 501
, H01L21/30 502P
Fターム (9件):
2H095BB03
, 2H095BC05
, 2H095BC27
, 2H097LA10
, 4K029AA09
, 4K029BA52
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC04
引用特許: