レーザー照射システムおよびその応用方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311321
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144620
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】線状のエキシマレーザーアニール時に発生する縞状のアニールむらを抑制する。【解決手段】線状にビーム加工されたエキシマレーザー光を非晶質珪素膜に照射して結晶性珪素膜に変成する工程において、ステージ103を矢印の方向に移動させながらレーザー光の照射を行う。この際、まず長波長の線状エキシマレーザー光109が試料に照射され、さらに短波長の線状エキシマレーザー光108が試料に照射される。こうすることにより、レーザービーム内の照射エネルギー密度のバラツキ、さらにレーザーパルス毎に照射エネルギー密度のバラツキを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

波長の異なる複数のレーザー光を照射する手段を有し、前記レーザー光は、線状にビーム加工されたエキシマレーザー光であり、前記レーザー光の照射は、線状ビームの幅方向に走査されて行われ、かつ波長の長いものが行われた後に波長の短いものが照射されることを特徴とするレーザー照射システム。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-124813
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330914 出願人：株式会社リコー
多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214717 出願人：三洋電機株式会社

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