特許

J-GLOBAL ID：200903080756259295

III族窒化物半導体発光素子

発明者： 柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241383
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065215
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 静電気耐性が強く、取り扱いが容易なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n伝導型の第1の半導体層3、発光層4及びp伝導型の第2の半導体層5を順に積層してなる発光素子において、第1の半導体層3に接続された第1の電極7が第2の半導体層5に接触する。これにより、発光素子に逆方向の高い電圧が印加された場合、電流は第1の電極7から第2の半導体層5へ優先的に流れ、発光素子の内部にはほとんど流れない。従って、逆方向の静電圧が印加されても本発明の発光素子はダメージを受けなくなる。よって、本発明の発光素子は取り扱いが容易なものとなる。また、第1の電極と第2の半導体層の間に抵抗が設けられる。第1の電極と第2の電極の間に発光素子と逆方向のダイオードが当該発光素子と並列に設けられる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体(AlXInYGa1ーXーYN;X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で形成される発光素子であって、第1の伝導型の第1の半導体層と、第2の伝導型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成される発光層と、前記第1の半導体層へ接続される第1の電極と、前記第2の半導体層へ接続される第2の電極と、を備えてなり、前記第1の電極が前記第2の半導体層に接触していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125033   出願人：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190069   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩