特許
J-GLOBAL ID：200903006346948020

不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

発明者：
森川 佳直

森川 佳直 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 政木 良文 ,  橋本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353733
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186553
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】メモリアレイ全体の面積増加を伴うことなくメモリセルの選択トランジスタのオン抵抗を下げることを可能とし、メモリセルの記憶データの読み出し動作の高速化及び安定動作を可能とする。【解決手段】電気抵抗の変化により情報を記憶可能な可変抵抗素子2を複数備え、各可変抵抗素子2の一端同士を接続し、複数の可変抵抗素子2を共通に選択するMOSFETまたはダイオード素子で構成される選択素子3の一つの電極と各可変抵抗素子の前記一端とを接続して、メモリセルを構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電気抵抗の変化により情報を記憶可能な可変抵抗素子を複数備え、前記各可変抵抗素子の一端同士を接続し、前記複数の可変抵抗素子を共通に選択する選択素子の一つの電極と前記各可変抵抗素子の前記一端とを接続していることを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (5件)：
H01L27/10 ,  G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (6件)：
H01L27/10 451 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 130 ,  G11C13/00 A ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083JA12 ,  5F083KA06 ,  5F083LA09 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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