特許
J-GLOBAL ID：200903080849599002

マグネトロンスパッタリング装置

発明者：
松田 知子

松田 知子 について

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下川 英利

下川 英利 について

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平田 和男

平田 和男 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020126
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220663
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ低温での成膜を可能とし、さらにはターゲットの使用開始から寿命に至るまで、優れた膜厚均一性を継続できるマグネトロンスパッタリング装置の提供を目的とする。【解決手段】 基板ホルダを自公転させながら薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置において、ターゲット中心軸と基板ホルダの公転軸とを一致させ、中心軸を中心とした開口を有する中間体をターゲットを取り囲んで配置し、その開口径Dを、基板最外周点の軌道径とターゲット直径のいずれか小さい方よりも小さくし、かつターゲット中心と基板最外周点とを結ぶ直線が中間体に交わる交点とターゲット中心軸との距離の2倍以上とするか、又は、0.18S+67.7<D<-0.36S+167(Sは基板径)としたことを特徴とする。また、中間体をターゲットの垂直方向に移動可能に配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ターゲットを取り付けたマグネトロンカソードと該ターゲットに対向して自公転可能に配置された複数の基板ホルダとを有し、該基板ホルダ上に載置される基板を自公転させながら薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置において、前記ターゲット中心軸と前記基板ホルダの公転軸とを一致させ、前記中心軸を中心とした開口を有する中間体を前記ターゲットを取り囲んで配置し、該中間体の開口径Dを、前記基板の最外周点の軌道径及び前記ターゲットの直径のいずれか小さい方よりも小さくし、かつ前記ターゲットの中心と前記基板の最外周点とを結ぶ直線が前記中間体に交わる交点と前記ターゲット中心軸との距離の2倍以上としたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/363
FI (4件)：
C23C 14/34 T ,  C23C 14/35 Z ,  C23C 14/50 H ,  H01L 21/363
Fターム (13件)：
4K029DA10 ,  4K029DC39 ,  4K029JA03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB16 ,  5F103BB22 ,  5F103BB38 ,  5F103DD30 ,  5F103HH10 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103RR04 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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