特許
J-GLOBAL ID：200903080854537015
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236021
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050590
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明のダイシング工程では、セラッミク基板上に一体に複数個形成された半導体装置をダイシングすることで個々の半導体装置を形成する工程に関し、セラミック基板のように伸縮率の大きい基板をダイシングする工程は、従来の半導体装置の製造方法には無い工程であった。【解決手段】 本発明では、複数の搭載部20を有する基板21の周囲には分割パターン61が設けられ、ダイシング装置は自動認識により対向する側辺の同じ列および行にある分割パターン61をそれぞれ認識し、分割パターン61の中心を求める。そして、求められた2つの中心を結ぶことでダイシングライン24を決定する。この作業の繰り返しでダイシングラインを1本ずつ認識しダイシングを行うことで、高い精度を保ったダイシング工程を行うことができる。
請求項（抜粋）：
複数の搭載部を有する基板の該搭載部の各々に半導体チップを固着し、前記各搭載部に固着した前記半導体チップの各々を共通の樹脂層で被覆した後に、前記基板を前記樹脂層を当接させて粘着シートに貼り付け、ダイシングを行う半導体装置の製造方法において、前記基板をダイシングする際、1ライン毎認識してからダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 21/56
, H05K 3/00
H01L 21/56 R
, H05K 3/00 J
, H05K 3/00 P
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 C
5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA21
, 5F061CB13
