イオン注入システム及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-519467
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507906
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：

【要約】プラズマ・イマージョンイオン注入のための方法及びシステムは、ウエハ等の注入基板の注入エネルギー分布を均一に維持するとともに電荷蓄積を最小にするために設けられている。電圧モジュレータ(27)は、プラズマを包含する処理室(17)内のプラテン(14)にパルス電圧信号(-Vp)を加え、このプラズマ内のイオンがプラテン上に載置されたウエハに引き寄せられて注入される。この電圧モジュレータ(27)は、(i) 電源(48)とプラテン(14)の間に配置され、電源とプラテン間の接続を一時的に生じさせ、プラテンにパルス電圧信号を供給する第1スイッチ(50)と、(ii) プラテンと低ポテンシャル電位との間に配置され、かつ少なくとも一時的にプラテンから残存電圧(-Vr)を放電するために第1スイッチ(50)が開いて電源とプラテンとの間の接続が切り離された後で閉じられる、第2スイッチ(54)と、(iii) 第1、第2のスイッチ(50,54)の順次動作を制御するコントローラ(56)とを備えている。第2スイッチ(54)を閉じさらに、プラテンをアース電位にすると、所定のエネルギー範囲内のイオンのみが、ウエハ内に注入される。注入エネルギー分布を改善し、そして、正のイオンの注入によるウエハの電荷蓄積は、プラズマ内の電子が注入パルス間でウエハに向けて流れることによって中和される。第2スイッチ(54)が開くと、第2スイッチは、プラテンをプラズマのフローティング電位に達するようにフロートさせることができ、ウエハ内の回路素子上の過剰電圧を最小にする。この代わりに、プラテンをプラズマのフローティング電位となるように正バイアスを加えるようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

処理室(17)を有し、この処理室内に発生したプラズマ中のイオンを用いて、プラテン(14)上に配置された基板(W)にイオン注入するパルス型プラズマ・イマージョン式イオン注入システム(10)において、電圧モジュレータ(27)が (i) 電源(48)と前記プラテン(14)の間に配置され、前記電源とプラテン間の接続を一時的に生じさせ、前記プラテンにパルス電圧信号(-Vp)を供給する第1スイッチ(50)と、 (ii) 前記プラテンと低ポテンシャル電位との間に配置され、かつ少なくとも一時的にプラテンから残存電圧(-Vr)を放電するために前記第1スイッチ(50)が開いて前記電源とプラテンとの間の前記接続が切り離された後で閉じられる、第2スイッチ(54)と、 (iii) 前記第1、第2のスイッチ(50,54)の順次動作を制御するコントローラ(56)とを備えることを特徴とする電圧モジュレータ。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01J 37/32 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01J 37/32 , H05H 1/46 L , H01L 21/265 F , H01L 21/265 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-280055
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-191348 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭63-028861

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