特許
J-GLOBAL ID：200903080887764971

半導体製造装置

発明者：
徳重 和哉

徳重 和哉 について


出願人/特許権者：
九州日本電気株式会社

九州日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233605
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050581
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造装置に使用される熱電対が温度変化の繰り返しによって劣化するのを抑制し、熱電対自身の寿命を延ばし、半導体素子の品質を向上させる。【解決手段】 内部に半導体ウエハ5を装填し反応ガスを導入して設定温度で熱処理を行なうための炉芯管9と、この炉芯管9を取り囲み複数個に区分された熱処理用ヒーター3と、この区分された熱処理用ヒーター3ごとに設置され各熱処理用ヒーター3の温度制御を行なうための各熱電対4とを備えた半導体製造装置において、各熱電対4自身を保温制御するための円筒状の保温用小型ヒーター10を、各熱処理用ヒーター3とは別に各熱電対4ごとに熱電対先端部を包囲するように設置している。
請求項（抜粋）：
内部に半導体ウエハを装填し反応ガスを導入して設定温度で熱処理を行なうための炉芯管と、この炉芯管を取り囲み複数個に区分された熱処理用ヒーターと、この区分された熱処理用ヒーターごとに設置され各熱処理用ヒーターの温度制御を行なうための熱電対とを備えた半導体製造装置において、前記熱電対自身を保温制御するための保温用小型ヒーターを、前記各熱処理用ヒーターとは別に各熱電対ごとに設置したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Fターム (11件)：
5F004AA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BB19 ,  5F004BB26 ,  5F004BC08 ,  5F004EA34 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK06 ,  5F045GB05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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