半導体集積回路装置、半導体集積回路配線方法およびセル配置方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175930
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082743
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】斜め方向の配線格子の配線層を具備する多層配線構造の半導体集積回路において、回路の遅延の低減およびノイズ耐性の向上を実現する。【解決手段】第n(n≧2)層配線が、第n-1層配線と互いに直交するm(m≧2)層の配線により、X-Y方向の基準配線格子を形成する基準配線層(1、2)と、互いに直交する第m+1層配線と第m+2層配線により、基準配線格子に対して45度または135度の角度で交差し、その第m+1層配線間及び第m+2層配線間の配線ピッチが、基準配線層のそれぞれの層の配線間の配線ピッチに対して√2倍に設定されるとともに、その配線幅が、基準配線層のそれぞれの層の配線幅に対して√2倍に設定される斜め配線格子を形成する斜め配線層(3、4)とを具備する。

請求項（抜粋）：

複数の単位素子が形成された半導体領域と、前記半導体領域の上層に形成され、第n(n≧2)層配線が、第n-1層配線と互いに直交するm(m≧2)層の配線により、X-Y方向の基準配線格子を形成する基準配線層と、前記基準配線層の上層に位置し、互いに直交する第m+1層配線と第m+2層配線により、前記基準配線格子に対して45度または135度の角度で交差する斜め配線格子を形成する斜め配線層とを具備し、前記斜め配線層は、その第m+1層配線間及び第m+2層配線間の配線ピッチが、前記基準配線層のそれぞれの層の配線間の配線ピッチに対して√2倍に設定されるとともに、その第m+1層配線及び前記第m+2層配線の配線幅が、前記基準配線層のそれぞれの層の配線幅に対して√2倍に設定されることを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

出願人引用 (7件)

多層配線半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-303158 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体集積回路及びその層間接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353597 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭60-198751

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審査官引用 (10件)

多層配線半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-303158 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体集積回路及びその層間接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353597 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭60-198751

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