特許

J-GLOBAL ID：200903080921527887

熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット

発明者： 森 曉 ,  張 守斌 ,  林 芳昌 ,  森 理恵
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (3件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎 ,  影山 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-292509
公開番号（公開出願番号）：特開2008-107710
出願日： 2006年10月27日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなる液晶表示装置用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】希土類元素(Y、La、Ce):0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線。

IPC (2件)：

G02F 1/134 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

G02F1/1343 ,  C23C14/34 A

Fターム (19件)：

2H092HA06 ,  2H092HA12 ,  2H092HA17 ,  2H092HA24 ,  2H092JA24 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA13 ,  2H092NA15 ,  2H092NA18 ,  2H092NA28 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• Cu合金配線材料及びCu合金スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-263014   出願人：東ソー株式会社

審査官引用 (2件)

• 銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-043081   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-205681   出願人：三菱マテリアル株式会社