特許
J-GLOBAL ID:200903080950632835

はんだ被覆ボールおよびその製造方法、ならびに半導体接続構造の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 奥田 誠司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-283301
公開番号(公開出願番号):特開2004-114123
出願日: 2002年09月27日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】加熱溶融時におけるボイドの発生が抑制された、Sn-Ag系はんだ層を有するはんだ被覆ボール、およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のはんだ被覆ボール50は、ボール状のコア2と、コア2を包囲するように設けられたSnおよびAgを含むはんだ層4とを有し、はんだ層4に含まれる水分量が、標準状態の水蒸気量で100μl/g以下である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ボール状のコアと、 前記コアを包囲するように設けられたSnおよびAgを含むはんだ層とを有し、 前記はんだ層に含まれる水分量が、標準状態の水蒸気量で100μl/g以下である、はんだ被覆ボール。
IPC (5件):
B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  C22C13/00 ,  C25D7/00 ,  H01L23/12
FI (5件):
B23K35/26 310A ,  B23K35/40 340F ,  C22C13/00 ,  C25D7/00 S ,  H01L23/12 501Z
Fターム (14件):
4K024AA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024AB09 ,  4K024BA06 ,  4K024BA09 ,  4K024BA11 ,  4K024BB10 ,  4K024BC10 ,  4K024DB01 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る