特許
J-GLOBAL ID：200903081000734026
シリコン半導体結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-338346
公開番号（公開出願番号）：特開2007-145610
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】浮遊帯溶融法(FZ法)により大直径のシリコン半導体結晶を製造する場合であっても、コーン部における有転位化および放電による無転位化の阻害の両方を防止することができ、高品質のシリコン半導体結晶を高歩留まりで製造することのできるシリコン半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、原料となるシリコン半導体棒を溶融して種結晶に融着させた後、チャンバ内で直径を拡大させながらシリコン半導体結晶のコーン部を育成し、その後、170mm以上の所望の直径に制御しつつ該シリコン半導体結晶の直胴部を育成する浮遊帯溶融法において、シリコン半導体結晶の育成中に前記チャンバ内の圧力を、予め準備したパターンにしたがって、低い状態から高い状態へ変化させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、原料となるシリコン半導体棒を溶融して種結晶に融着させた後、チャンバ内で直径を拡大させながらシリコン半導体結晶のコーン部を育成し、その後、所望の直径に制御しつつ該シリコン半導体結晶の直胴部を育成する浮遊帯溶融法によってシリコン半導体結晶を製造する方法において、シリコン半導体結晶の育成中に前記チャンバ内の圧力を変化させることを特徴とするシリコン半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 501A
, C30B13/28
4G077AA02
, 4G077AB09
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077HA12
, 4G077NA01
, 4G077NF07
出願人引用 (3件)
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特公昭51-24964号公報
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特公昭63-10556号公報
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特開昭50-37346号公報
審査官引用 (5件)
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