特許
J-GLOBAL ID:200903081002191178
半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-173283
公開番号(公開出願番号):特開2008-072087
出願日: 2007年06月29日
公開日(公表日): 2008年03月27日
要約:
【課題】従来の半導体装置よりもさらに薄型、好ましくはトータルの厚さが30μm程度以下であり、かつ湾曲させたり、折り曲げたりしても特性が変化せず、もとの形状を回復することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】高分子からなる厚さ20μm以下、好ましくは10μm以下の支持層203と、前記支持層203上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置、ならびに、基板201上にアルミニウムから構成される剥離層202、高分子からなる支持層203、素子を順に形成し、アルカリ溶液を用いて該剥離層202を溶解して該基板201を剥離する半導体装置の製造方法、および基板201上に高分子からなる支持層203、素子を順に形成し、機械的力を加えることにより該基板201を剥離する半導体装置の製造方法である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
高分子からなる厚さ20μm以下の支持層と、前記支持層上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 51/05
, H01L 51/50
, H05B 33/10
, G02F 1/136
, G09F 9/30
FI (8件):
H01L29/78 626C
, H01L21/28 Z
, H01L21/28 301B
, H01L29/28 100A
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, G02F1/1368
, G09F9/30 310
Fターム (72件):
2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092MA04
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA15
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 3K107AA01
, 3K107AA03
, 3K107BB01
, 3K107CC43
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107EE46
, 3K107FF09
, 3K107FF15
, 3K107GG24
, 3K107GG28
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104DD68
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE18
, 4M104FF13
, 4M104GG02
, 4M104GG05
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG16
, 4M104GG19
, 5C094AA54
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA06
, 5C094DA13
, 5C094EB10
, 5C094GB10
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD06
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110NN01
, 5F110NN27
, 5F110QQ14
, 5F110QQ30
引用特許:
出願人引用 (1件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-316613
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (6件)
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