特許
J-GLOBAL ID：200903080154713475

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
高山 徹

高山 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216697
公開番号（公開出願番号）：特開2002-031818
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 プラスチック支持体を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供する。【解決手段】 第1固定基板101と樹脂基板からなる素子形成基板103とを第1接着層で貼り合わせた後、素子形成基板上にTFT素子及び画素電極を形成する。それらの上に第2接着層107で樹脂基板からなる第2固定基板106を貼り合わせ、液晶材料108を保持する。この状態でYAGレーザーを照射することにより第2接着層107が除去され第1固定基板101が分離または剥離される。
請求項（抜粋）：
第1固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設けられた第1接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上にTFT素子及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第2接着層で第2固定基板を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第1接着層を除去して前記第1固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1339 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00
FI (7件)：
G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1339 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01S 3/00 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (114件)：
2H089MA03Y ,  2H089NA39 ,  2H089NA53 ,  2H089NA58 ,  2H089QA12 ,  2H089QA16 ,  2H089TA01 ,  2H089TA05 ,  2H089TA09 ,  2H090HA04 ,  2H090HB03X ,  2H090HB06X ,  2H090HD01 ,  2H090JB03 ,  2H090JB11 ,  2H090JC07 ,  2H090LA03 ,  2H092HA02 ,  2H092JA24 ,  2H092JB56 ,  2H092MA31 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA04 ,  2H092RA10 ,  5C094AA31 ,  5C094AA36 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA07 ,  5C094DA12 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA06 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094HA05 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F072AA06 ,  5F072AB01 ,  5F072AB20 ,  5F072YY06 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (15件)
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