特許
J-GLOBAL ID：200903088007743793

ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

発明者：
平井 博幸

平井 博幸 について


出願人/特許権者：
富士フイルムホールディングス株式会社

富士フイルムホールディングス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222246
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042690
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】ナノ粒子分散液を用いた良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】下記式IまたはI'で表される化合物から選択される平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液を用いて酸化物半導体薄膜22を形成する。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z)[I](式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'](式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記一般式IまたはI'で表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と、分散媒とを含むナノ粒子分散液。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I] (式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'] (式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)
IPC (2件)：
H01L 21/368 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L21/368 Z ,  H01L29/78 618B
Fターム (33件)：
5F053AA00 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR04 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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