特許
J-GLOBAL ID：200903081051406171
エレベータの制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171413
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】【課題】 主回路電圧振動を抑え、ひいてはゲート電圧振動を抑えるようにしたエレベータの制御装置を提供する。【解決手段】 IGBT2(又は3)のオフ時のサージ電圧を吸収したスナバ回路が放電する時に生ずる高速ダイオード5(又は6)とコンデンサ8(又は9)との閉回路での共振電流による主回路電圧変動及び半導体素子の制御信号であるゲート電圧変動を制御するために正側スナバ回路に対しては高速ダイオード5のアノード側とコンデンサ8との間に、また負側スナバ回路に対しては高速ダイオード6のカソード側とコンデンサ9との間に、それぞれ共振電流抑制用のインダクタンス10、11を挿入する。
請求項（抜粋）：
エレベータかごを上下に移動させる三相誘導電動機を駆動し制御するエレベータのインバータ制御装置において、正側及び負側に、それぞれスイッチング制御を行う半導体素子を設け、この半導体素子がスイッチングする時のサージ電圧を吸収するために、第1のコンデンサとダイオードとを直列に接続したスナバ回路を正側の半導体素子及び負側の半導体素子にそれぞれ並列に接続し、前記ダイオードにそれぞれ第2のコンデンサを接続し、前記第1のコンデンサの放電抵抗として正側の半導体素子に接続したスナバ回路に対しては前記第1のコンデンサと前記ダイオードとの接続点より負側回路に抵抗を接続し、負側の半導体素子に接続したスナバに対しては前記第1のコンデンサと前記ダイオードとの接続点より正側回路に抵抗を接続した回路を有し、半導体素子のオフ時のサージ電圧を吸収したスナバ回路が放電する時に生ずる前記ダイオードと前記第2のコンデンサとの閉回路での共振電流による主回路電圧変動及び半導体素子の制御信号であるゲート電圧変動を制御するために、正側スナバ回路に対しては前記ダイオードのアノード側と前記第2のコンデンサとの間に、また負側スナバ回路に対しては前記ダイオードのカソード側と前記第2のコンデンサとの間に、それぞれ共振電流抑制用のインダクタンスを挿入したことを特徴とするエレベータのインバータ制御装置。
IPC (2件)：
B66B 1/30
, H02P 7/63 302
B66B 1/30 H
, H02P 7/63 302 C
