特許
J-GLOBAL ID:200903081091560882

固体撮像装置及び距離画像測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-216517
公開番号(公開出願番号):特開2009-047662
出願日: 2007年08月22日
公開日(公表日): 2009年03月05日
要約:
【課題】 簡易な構成で距離画像測定が可能な固体撮像装置及び距離画像測定装置を提供する。【解決手段】 一対の第1ゲート電極IGR,IGLが、光感応領域SAと一対の第1蓄積領域AR,ALとの間のポテンシャルφTX1,φTX2が交互に傾斜するよう半導体基板100上に設けられている。一対の第2ゲート電極IGR,IGLは、第1蓄積領域AR,ALと第2蓄積領域FDR,FDLとの間にそれぞれ介在する第1ポテンシャル障壁φBGの高さを制御するよう半導体基板100上に設けられており、光検出素子によって検出される背景光の出力が高いほどキャリアに対する第1ポテンシャル障壁φBGの高さを増加させる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
背景光を検出する光検出手段と、 複数の画素からなる撮像領域と、 を備えた固体撮像装置であって、 個々の前記画素は、 半導体基板内に設けられた光感応領域と、 前記半導体基板内に設けられた一対の第1蓄積領域と、 前記光感応領域と一対の前記第1蓄積領域との間のポテンシャルが交互に傾斜するよう前記半導体基板上に設けられた一対の第1ゲート電極と、 前記半導体基板内に設けられた一対の第2蓄積領域と、 前記第1蓄積領域と前記第2蓄積領域との間にそれぞれ介在する第1ポテンシャル障壁高さを制御するよう前記半導体基板上に設けられ、前記光検出手段によって検出される背景光の出力が高いほどキャリアに対する前記第1ポテンシャル障壁高さを増加させる一対の第2ゲート電極と、 を備えることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件):
G01S 17/89 ,  G01C 3/06 ,  G01S 17/10 ,  H01L 27/146
FI (5件):
G01S17/89 ,  G01C3/06 120Q ,  G01C3/06 140 ,  G01S17/10 ,  H01L27/14 A
Fターム (35件):
2F112AD01 ,  2F112BA11 ,  2F112CA05 ,  2F112DA28 ,  2F112FA07 ,  2F112FA29 ,  2F112FA33 ,  2F112GA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB03 ,  4M118BA18 ,  4M118CA07 ,  4M118CA22 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5J084AA01 ,  5J084AA05 ,  5J084AB01 ,  5J084AD01 ,  5J084BA04 ,  5J084BA40 ,  5J084CA03 ,  5J084CA34 ,  5J084CA44 ,  5J084CA49 ,  5J084CA57 ,  5J084CA67 ,  5J084EA02 ,  5J084EA29
引用特許:
出願人引用 (9件)
  • 米国特許6373557号明細書
  • 国際公開第WO2006/010284号パンフレット
  • 特開平4-268764
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審査官引用 (7件)
  • 特開平4-268764
  • 特開昭63-296266
  • 測距装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-216516   出願人:浜松ホトニクス株式会社
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