特許
J-GLOBAL ID：200903086440886695

測距センサ及び測距装置

発明者：
鈴木 高志

鈴木 高志 について

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間瀬 光人

間瀬 光人 について

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水野 誠一郎

水野 誠一郎 について

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武村 光隆

武村 光隆 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216512
公開番号（公開出願番号）：特開2009-047658
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】 正確な測距を行うことが可能な測距センサ及び測距装置を提供する。【解決手段】 光感応領域1G内でイオン化された不純物によるポテンシャルφPGと、第1及び第2半導体領域FD1、FD2内でイオン化された不純物によるポテンシャルφFD1,φFD2の差は、光感応領域と第1及び第2半導体領域で導電型が異なるので、これらの導電型が同一の場合よりも、大きくなる。このようにポテンシャルの差がある状態で、光感応領域1Gの導電型を半導体基板1A,1A’と同一のP型とし、その不純物濃度を低下させると、光感応領域1Gにおけるポテンシャルの横方向分布が、一方向のみに傾斜しやすくなる。光感応領域1G内で発生したキャリアが第1半導体領域FD1及び第2半導体領域FD2内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域1G内におけるキャリアの残留を抑制することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に設定された光感応領域と、 前記表面上において前記光感応領域に隣接して設けられた第1及び第2ゲート電極と、 前記光感応領域から前記第1及び第2ゲート電極直下の領域に流れ込むキャリアをそれぞれ読み出すための第1及び第2半導体領域と、 を備え、 前記第1及び第2半導体領域の導電型と前記光感応領域の導電型とは逆であって、 前記半導体基板と前記光感応領域の導電型は同一であり、且つ、 前記光感応領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも低く設定されている、 ことを特徴とする測距センサ。
IPC (5件)：
G01S 17/10 ,  G01C 3/06 ,  G01C 3/08 ,  H01L 27/146 ,  G02B 7/28
FI (7件)：
G01S17/10 ,  G01C3/06 120Q ,  G01C3/08 ,  G01C3/06 140 ,  H01L27/14 F ,  G02B7/11 G ,  G02B7/11 N
Fターム (52件)：
2F112AD01 ,  2F112CA12 ,  2F112CA13 ,  2F112DA21 ,  2F112DA25 ,  2F112DA26 ,  2F112DA28 ,  2F112EA05 ,  2F112FA01 ,  2F112FA05 ,  2F112FA12 ,  2F112FA25 ,  2F112FA29 ,  2F112FA35 ,  2F112GA01 ,  2H051BB34 ,  2H051CC03 ,  2H051DB01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB03 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GA03 ,  4M118GB06 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5J084AA01 ,  5J084AA05 ,  5J084AB01 ,  5J084AB07 ,  5J084AD01 ,  5J084AD02 ,  5J084BA02 ,  5J084BA04 ,  5J084BA40 ,  5J084CA03 ,  5J084CA44 ,  5J084CA57 ,  5J084CA67 ,  5J084CA69 ,  5J084CA76 ,  5J084DA01 ,  5J084DA07 ,  5J084EA08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 距離画像撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-098478   出願人：オリンパス光学工業株式会社
  • 光飛行時間型距離センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-041057   出願人：国立大学法人静岡大学
審査官引用 (10件)
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