特許
J-GLOBAL ID：200903081096974294

半導体素子

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

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中村 幸則

中村 幸則 について

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田中 光浩

田中 光浩 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266928
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252177
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】半導体発光素子などとして好適に使用することのできる、高い結晶性を有するGa系半導体層群を具えた半導体素子を提供する。【解決手段】サファイア基板などから構成される基板1上に、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下のAlN下地層2を形成する。次いで、AlN下地層2に、Al<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>In<SB>1-p-q</SB>N(0≦p≦1,0<q≦1)なる組成を有するバッファ層3を形成し、このバッファ層3上に、GaN半導体層群4を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上において、Alを含み、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上において、第2の窒化物半導体からなるバッファ層と、このバッファ層上において、Gaを含む第3の窒化物半導体からなる半導体層群とを具え、前記半導体層群を構成する前記第3の窒化物半導体におけるAl含有量が、前記下地層を構成する前記第1の窒化物半導体におけるAl含有量よりも小さいことを特徴とする、半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C
Fターム (26件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045EE12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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