特許
J-GLOBAL ID：200903081107533589
フォトマスクの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393577
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195478
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減するようにしたフォトマスクを作製する方法を提供する。【解決手段】 本方法では、設計EB描画パターンに対する寸法補正値(以下、データバイアス値と言う)と隣接パターン間スペースのスペース寸法との間の相関関係を規定し、設計EB描画パターンのスペース寸法に基づいて相関関係からデータバイアス値を算出し、設計パターンデータに基づく設計EB描画パターンの線幅にデータバイアス値を乗じて補正した補正EB描画パターンを求め、補正EB描画パターンをフォトマスク基板に描画してフォトマスクを作製する。これにより、図4に示すように、エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減し、LSパターンのリニアリティー精度を従来よりも向上させることができる。
請求項（抜粋）：
フォトマスク基板上にレジストを塗布し、EB描画でレジストを露光し、現像後のレジストパターンを用いてドライエッチングすることで遮光膜パターンを形成するフォトマスクの作製方法において、エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターン寸法ばらつきを低減するために、設計EB描画パターンの隣接パターン間スペースのスペース寸法との相関からデータバイアス値を算出し、設計EB描画パターンの線幅にデータバイアス値を加えた補正EB描画パターンを求め、補正EB描画パターンをフォトマスク上に描画することを特徴とするフォトマスクの作製方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 D
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB08
, 2H095BB10
, 2H095BB16
, 2H095BB36
