特許
J-GLOBAL ID：200903081166610546

チタノシリケートの製造方法

発明者：
老川 幸

老川 幸 について

, 
深尾 正美

深尾 正美 について

, 
辰巳 敬

辰巳 敬 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について

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国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について


代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-160640
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308387
出願日： 2007年06月18日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】 チタノシリケート中の全チタンに対する4配位チタンの含有比率がより高いMWW構造を有するチタノシリケートの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のチタノシリケートの製造方法は、ケイ素化合物、チタン化合物、ホウ素化合物、水及び構造規定剤の混合物を水熱合成反応に付し、得られた結晶を酸処理した後、焼成することによりMWW構造を有するチタノシリケートを製造する方法であって、前記酸処理を0〜75°Cで1〜48時間行うことを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ケイ素化合物、チタン化合物、ホウ素化合物、水及び構造規定剤の混合物を水熱合成反応に付し、得られた結晶を酸処理した後、焼成することによりMWW構造を有するチタノシリケートを製造する方法であって、前記酸処理を0〜75°Cで1〜48時間行うことを特徴とするチタノシリケートの製造方法。
IPC (1件)：
C01B 37/00
FI (1件)：
C01B37/00
Fターム (20件)：
4G073BA20 ,  4G073BA56 ,  4G073BB44 ,  4G073BB66 ,  4G073CZ55 ,  4G073FB06 ,  4G073FB50 ,  4G073FC12 ,  4G073FC19 ,  4G073FC30 ,  4G073FE01 ,  4G073UA03 ,  4G169AA02 ,  4G169BA07A ,  4G169BC50A ,  4G169CB07 ,  4G169CB73 ,  4G169ZA37A ,  4G169ZD04 ,  4G169ZE10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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