配線の形成方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041807
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230219
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 Cuメッキ膜の表面被覆性のみならず下地膜との密着性を十分に確保して所望の微細配線の形成を可能とし、更なる微細化・高集積化に対応した信頼性の高い配線及びこれを備えた半導体装置を実現する。【解決手段】デュアルダマシン法に電解メッキ法を併用して微細な多層Cu配線を形成するに際して、配線溝12及びビア孔13にメッキCuを充填する前に、配線溝12及びビア孔13の内壁面を覆うように、高融点金属を含む材料からなる下地層14、Zr又はZr化合物からなる中間層15及びCuシード層16をそれぞれCVD法により形成する。中間層15の成膜原料として、Zr{N(C2H5)2}4を用いる。

請求項（抜粋）：

基板の上層に形成された絶縁膜に少なくとも配線溝を形成する工程と、前記配線溝の内壁面を覆うように、少なくとも高融点金属を含有する材料からなる下地層を化学気相成長法により形成する工程と、Zr又はZr化合物からなる中間層を化学気相成長法により形成する工程と、電解メッキ用のシード層を化学気相成長法により形成する工程と、前記配線溝を埋め込むように電解メッキ法により銅又は銅を含む金属層を形成する工程と、前記銅又は銅を含む金属層を研磨して、前記配線溝内を充填するように前記銅又は銅を含む金属層を残して配線を形成する工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/288 E , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

Fターム (47件)：

4M104BB13 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104HH08 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033WW03 , 5F033XX02 , 5F033XX12

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-350393 出願人：富士通株式会社
処理装置のシャワーヘッド構造及び処理ガスの供給方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-119403 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社
電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源、該電子源を用いた画像形成装置及び該電子放出素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166696 出願人：キヤノン株式会社

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