特許

J-GLOBAL ID：200903081183728763

研磨用組成物および研磨方法

発明者： 伊奈 克芳 ,  北村 忠浩
出願人/特許権者： 株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089747
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】 タンタル含有化合物を大きな研磨速度で研磨することができ、且つ研磨後銅表面が腐食され難い研磨用組成物を提供し、また、ディッシングが極力抑制可能な研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨材、シュウ酸、エチレンジアミン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体および水を含み、且つ、酸化剤を含まないことを特徴とする研磨用組成物、および、研磨材、シュウ酸、エチレンジアミン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、水および過酸化水素を含んでなる研磨用組成物。また、半導体装置製造に係り、第1研磨ではバリア膜に達する直前で研磨を終え、銅膜を僅かに残し、次いで、第2および第3研磨で、残存した銅膜およびバリア膜を研磨する研磨方法において、第2研磨として、過酸化水素を含む研磨用組成物を用いて除去すべき銅膜を全て研磨して取り除き、第3研磨として、過酸化水素を含まない研磨用組成物を用いて除去すべきバリア膜を全て研磨し、取り除くことを特徴とする銅配線形成のための研磨方法。

請求項（抜粋）：

下記成分を含み、且つ、酸化剤を含まないことを特徴とする研磨用組成物。(a)研磨材、(b)シュウ酸、(c)エチレンジアミン誘導体、(d)ベンゾトリアゾール誘導体、(e)水

IPC (5件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622

FI (5件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-368848   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317233   出願人：株式会社日立製作所